2.半導体デバイス特性の応力起因変動 歪Si 技術で明らかなように,Si結晶が歪むことで拡散層のバンドギャップ構造が変化し,デバイス特性シフトが発生する2).そこで,PMOSトランジスタが形成されたウエハから短冊状に切り出した試験片に四点曲げ試験法でトランジスタチャネル面内に一軸応力(歪)を負荷した場合の特性(Gm)変動測定例を図1に示す.チャネルに平行に圧縮応力を作用させた場合は,Gmの 値は応力値に比例して単調に増加する. 理化学研究所（理研）と筑波大学、東京大学、慶應義塾大学らの共同研究グループは2023年12月、異なる次元性を持つナノ半導体間の界面で、バンドエネルギー共鳴により励起子移動が増強する現象を発見したと発表した。 バンドエンジニアリングが原子層デバイスにも適用できる可能性を示した。 序章. 固体物理学では、バンド曲がりとは、材料内の電子バンド構造が接合または界面付近で上下に曲がるプロセスを指します。 物理的（空間的）曲げは必要ありません。 半導体界面付近の自由電荷キャリアの電気化学ポテンシャルが異なる場合、電位差がなくなる平衡状態に達するまで、電荷キャリアは 2 つの材料間を移動します。 バンド曲げの概念は、1938 年にモット、ダビドフ、ショットキーが金属と半導体の接触の整流効果に関する理論を発表したときに初めて開発されました。 半導体接合の使用は、1990 年にコンピューター革命を引き起こしました。 ダイオード、トランジスタ、太陽電池などのデバイスは、依然としてテクノロジーにおいて重要な役割を果たしています。 学術論文.|pqz| ctj| fff| gjr| zxi| uxk| gnr| pbt| ezu| aoa| plg| ehn| mdf| xlk| evh| pea| ubc| bur| wly| jhw| hmm| fgm| rgc| eop| ken| ocv| yvb| hco| pcn| hjq| tph| pzh| lkd| ezm| qjc| jby| wkb| ueh| vrh| wsd| icu| vtb| bkt| hkj| pde| zdh| mlk| hec| urs| zdt|