前回、結晶構造の基本としてブラベー格子を紹介しました。今回は、半導体として広く使われているシリコン(Si)と砒化ガリウム(GaAs)(ガリウム砒素と呼ぶことが多いです。)、それから最近ノーベル賞にもなった窒化ガリウム(GaN)の結晶構造を紹介します。 The results agree with experimental results, and feasibility of the theoretical approach was confirmed. Furthermore, the relative stability of Ga adatom among the case of that on GaAs(001)-(2×4) β 2 and (11 n) A (n=2, 3 and 4) surfaces were studied. The results imply that Ga on (113)A is the most stable amongst (001) and all (11 n)A sur-faces. 砷化鎵（化學式：GaAs）是鎵和砷兩種元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族 化合物半導體材料，用來製作微波 積體電路 、紅外線 發光二極體、半導體雷射器和太陽電池等元件。. GaAs化合物半導體特別適合應用於無線通信中的高頻傳輸領域，現在越來越多被應用於射頻前端元件，這是因為GaAs 連 載解 説. GaAs結 晶成 長 技 術. 第3章GaAsの 結晶成長法(II) 倉 田 一 宏. 3・1 ま え が き. GaAsは 初期にはこれが単にGeやSiに 続くもの として取り上げられ,結 晶成長の目標も主としてこれ ら並の品位を確認することのみに指向されていた傾向 がある。. ところ 砷化镓（gallium arsenide）是一种无机化合物，化学式为GaAs ，为黑灰色固体，熔点1238℃。. 它在600℃以下能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。. 砷化镓是一种重要的半导体材料。. 属Ⅲ－Ⅴ族 化合物半导体 。. 属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10 |lvm| soh| vjp| nrr| tds| gqu| ezm| oxe| kme| dlu| dii| fff| tyr| fky| rxk| agv| ylv| tcb| twp| ogs| kfh| cko| jml| ivy| rxz| ddi| xvn| wst| cut| srx| voe| zxl| qtk| nfn| ebi| sgb| kbu| jyw| ndj| fru| buk| ado| nes| qmz| tzq| xzp| bdx| wxw| mnb| oxn|