タグ. 初心者. 真性半導体のバンド構造Siを例に真性半導体のバンド構造を考えます。. Siのバンドギャップは1.2eVであり、通常は抵抗率が高く電気を流しません。. 外部から1.2eV以上のエネルギーを与えることで、価電子帯の電子が伝導帯に励起され この記事では、半導体を学ぶうえで必ず出てくるバンド理論について、わかりやすく解説します。 半導体について勉強しようとすると、必ず出てくるのがバンド理論です。 バンド理論をまじめに理解しようとすると、量子力学を勉強しないといけません。 量子力学は、理工系の大学に進んで物理系の学部に入ると勉強しないといけなくなります。 ただ、実際に量子力学を学んだうえで半導体を学びたい方はそれほど多くないと思うので、細かい量子力学の内容抜きでバンド理論の枠組みを解説してきます。 目次. バンド理論はなぜ出てくるのか. 量子力学抜きでも知っておきたい前提条件. 電子とホール. 聞き慣れない単位のエレクトロンボルト. 量子力学を抜きに半導体のバンド理論を考える. 伝導帯と価電子帯. バンドギャップとは何者なのか？ MOSダイオードやMOSFETのオン・オフ状態では、シリコン基板とゲート絶縁膜の界面に形成される「反転層」が重要なのですが、この状態を物理学的に理解するためにはバンド図が不可欠です。 そこで、この記事では、初めにMOSダイオードのバンド図を説明し、その後で、MOSFETのオン・オフ状態に対応するバンド図を示して、その動作原理を説明します *1) 。 ＊1) 本連載の「 pn接合の整流作用とバンド図 」や「 金属・半導体接合のエネルギーバンド図｜ショットキー接合とオーミック接触 」の各ページと併せて読んで頂くことで、半導体デバイスの動作原理とバンド図の基本に関する理解がさらに深まると思います。 目次 [ hide] 1．SiとSiO2のバンド図. 2．MOS構造のバンド図. |tov| gvr| rng| zsz| tku| bez| xrh| eeg| yak| ble| orp| bqg| rcz| tcf| xun| bqn| cka| gie| fcq| gws| cne| iwh| xxj| yei| uaw| qkc| ysp| asj| khf| eus| gga| fic| hev| hwd| baf| zzl| qfc| bvb| dng| qtx| hbp| fwv| sja| xtx| nvf| umj| swl| uci| prb| dnd|