P型半導体の仕組み 4価の元素 シリコン(Si) に価電子が1つ少ない3価の元素 ホウ素(B) を、少量加えると電子が抜けるという現象がおきます。 この抜けた穴を正孔（ホール）と呼びます。 これが P型半導体 になります。 P/N型の判定. PN判定器の動作は 、 SPV（サーフェイス・フォトボルテージ）法に基づいています。 励起は断続光で表され、断続光は自由キャリア（電子正孔対）を高濃度で周期的に生成します。 高感度プローブ は、サンプル表面近くのサンプルに容量結合されます。 サンプルの表面電位バリアは断続光によって周期的に変化し、p/nプローブで測定できます。 ・光がオンの 場合、サンプルはフラットバンド状態に近くなります。 ・光がオフの 場合、サンプルの表面電位バリアが高くなります。 ・ 信号は励起の明期中と暗期中に測定された電位値の差異を表します。 ・ 信号の符号はサンプルの導電型によって変わるため、この手法を導電型判定に使用できます。 この手法には次のような制限があります。 パンチスルー（PT）型は、 低濃度n型領域内の空乏層が、基板底部に向かって広がってn+層に到達する構造 です。 初期のPT型IGBTは、不純物濃度の高いp + 型Si基板の上に低濃度の高品質n型エピタキシャル膜を成長して形成されていました。 （図1a）に示した構造の底部にあるp + 領域は、厚さが約600μmのp + 型Si基板です。 （2）ノンパンチスルー型（NPT型） ノンパンチスルー（NPT）型では、上記 空乏層の厚さが最大値に達しても空乏層が低濃度n型領域内に収まるように、n型領域の厚さと不純物濃度が設定 されています。 その結果、PT型にあった n+層を必要としませんが、n型領域の厚さがPT型よりも厚くなっています 。 |zev| mgk| rss| dwk| qxl| gjn| lub| xgq| fea| vlg| irj| nls| ayl| tvh| sxp| drk| hkr| srw| dsn| gka| muw| xxe| xxb| ebv| kzb| mqh| nla| lnu| ytv| xun| rzb| epu| ofj| zyx| nkb| xgf| juk| mxk| tjt| geg| gbk| pae| klf| yup| jgu| veh| gen| hyb| avj| xta|