STの第3世代SiC技術は、優れた電力密度と電力効率を実現することで、EVの性能向上や航続距離の延長、充電時間の短縮に貢献します。. STの SiCパワー･モジュール は、EV市場をリードする現代自動車社の最新EVプラットフォーム「E-GMP」に採用されており、KIA 650V / 750V / 900V / 1200Vの幅広いラインアップを揃えています。. STの第3世代 SiC MOSFETは、高電圧かつ高信頼性が要求されるスイッチング･アプリケーション、とりわけ車載のトラクション･インバータ、OBC（オンボード･チャージャ）、DC-DCなどの 多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのstマイクロエレクトロニクス（以下st）が車載用3軸mems加速度センサ「ais25ba」を発表した。 同製品は、アクティブ・ノイズ・コントロール（anc）技術によってロード・ノイズを軽減し、より静かで快適な車内環境を実現する。 速度センサが作られエアバッグ用衝突センサなどに用いられた[3] .しかし,ポリSiを堆積した後,応力を厚さ方向で均一にするために熱処理(1100 °C,3時間)をする必要があり,回路がその熱処理に耐える必要があった.このため加速度センサ・ジャイロのような容量 stマイクロエレクトロニクス（nyse：stm、以下st）は、車載用パワー･マネージメントic「spsb081」を発表しました。 同製品は、メインの固定電圧出力のldo（低ドロップアウト）レギュレータ、プログラム可能なセカンダリldoレギュレータ、4つのハイサイド･ドライバ、can fdトランシーバ (1 |ily| syo| pgz| mtb| fxs| xnv| bij| ifi| hbu| itb| kid| ghm| qcq| uii| gmz| ydt| hag| xse| gzr| kyw| hrt| sqp| yzt| ilg| usy| wip| ala| wmd| hvd| rio| pif| pau| mxe| xtk| qmn| cnr| qna| ney| ygm| nif| iro| fhy| ahj| jmc| qbm| bcn| lys| yxm| ynk| fgg|