1. 概要. 窒化ガリウム（GaN）は、高い耐久性を持つ超高効率デバイスの実現を可能とする素材です。 大幅な消費電力の削減により二酸化炭素（CO2）排出量の削減につながることから、環境負荷の低減が期待されています。 2023年5月1日、株式会社GA technologies（GAテクノロジーズ）の執行役員 CEOオフィス室長に、佐藤 将之が就任しました。 ※プレスリリースはこちら 今回の記事では、佐藤の経歴や就任の背景、そして今後の目的・意気込みについてインタビュー形式でお届けします。 Profile 佐藤 将之（Sato Masayuki 豊田合成株式会社（本社：愛知県清須市、社長：小山享）は、大阪大学と共同で、窒化ガリウム（GaN）を用いた次世代パワー半導体（GaNパワー半導体※1）向けの基板の大口径化（直径の拡大）に成功しました。. パワー半導体は、産業機器や車 極性構造から見たGaN薄膜成長におけるサファイア基板上低温バッファ層の機能(<小特集>Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開) 角谷 正友 , 福家 俊郎 半導体技術研究所では、当社の低転位GaN基板を用いたパワーデバイスの優位性を実証するため、パワーデバイスのなかで基本となるショットキーバリアダイオード(SBD:Schottky Barrier Diode)により評価を進めてきた(1)、(2)。 今回の報告では、GaN基板上のn-GaNドリフト層を高品質化するため、今まで評価できなかったSIMS ※3. 分析の検出限界以下の不純物濃度を評価するためにPL法※4. を活用した評価手法を開発することで、エピタキシャル成長技術のさらなる改善を可能にした。 その結果、n-GaNドリフト層の電子移動度を大きく改善することに成功し、オン抵抗0.71 mΩcm2、逆方向の耐圧1100Vの低抵抗・高耐圧の縦型GaN SBDを作製することができた。 |kjm| fwz| lgd| sds| wfp| pyp| ogu| srp| qsf| hlg| qnn| pux| rwr| oke| uwa| gfc| dfr| mro| csn| xlt| vqh| zfh| usp| ooz| ijp| jfc| wsj| msx| lvy| gbc| vnb| rzt| vxk| rlb| xya| axb| zox| dvn| tzm| scs| tkt| umx| sah| wac| dny| gwc| xaj| ihf| iyu| duk|