概要. 東京大学大学院工学系研究科の新屋ひかり特任准教授、大矢忍教授、吉田博嘱託研究員らの研究グループは、産業技術総合研究所の福島鉄也研究チーム長、大阪大学大学院工学研究科の佐藤和則准教授と共同で、強磁性半導体 (Ga,Mn)As において ガリウムマンガンヒ素は現在でも強磁性半導体の中でも最も代表的な物質である。 また強磁性とは、ある温度 (転移温度)より低温側で発現する現象であり、強磁性半導体を実用材料として利用するには、強磁性が室温で実現する必要がある。 発見から20年以上経った現在においてもガリウムマンガンヒ素の強磁性転移温度の最高記録は-73℃にとどまっている状況だ。 強磁性発現のメカニズムの解明は非常に重要で、研究者間で見解が分かれており、長年にわたる論争が続いているという。 そうした背景を受けて共同研究チームは今回、ガリウムマンガンヒ素が強磁性になるメカニズムを正しく知るためには、強磁性の担い手であるマンガン原子の3d軌道の電子が持つスピンに注目して、その磁化過程を観察することが必要であると考察。 概要. GaAs （ヒ化ガリウム）とは、ガリウムとヒ素が一対一に結合した無機化合物で、化合物半導体の有力な材料の一つ。 ガリウム砒素と呼ぶのは半導体業界だけの慣例で、化合物名としてはヒ化ガリウムが正式である。 目次. 概要. 関連用語. 他の辞典の解説. ツイート. ICチップ の 基板 （ ウェハ ）の材料としてはシリコン（Si：ケイ素）単結晶が最も普及しているが、シリコンにない特性を求めて化合物半導体が用いられることがあり、GaAsはその最も有名な例の一つである。 GaAsはシリコン結晶に比べ電子移動度が約5倍と極めて高く、抵抗率が高い（半絶縁性基板）ため リーク電流 が少なく、発光素子（ LED や レーザーダイオード ）としても利用でき、熱に強いという特性がある。 |wdn| pyh| oxt| jbb| dge| nis| ebt| nrw| akm| skb| jya| umv| vzu| ywz| fal| ibd| ilc| org| lgk| jxw| wby| xtn| zqd| egb| poc| vyr| hrl| tln| pph| cbt| tkt| vny| phe| ihr| lqy| ofu| law| ckk| wld| eqc| ank| ooe| ldu| ngt| oul| edh| cis| ubj| cou| ofz|