・異なる組成の遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）多層結晶の接合構造の作製に成功。 ・高濃度に電子もしくはホールを含む多層TMDC結晶の接合において界面でのトンネル電流を観測。 ・層状半導体TMDCを利用した次世代の低消費電力デバイスへの応用に期待。 Transition metal dichalcogenides FET. グラフェンは 代表的な物質が遷移金属ダイカルコゲナイドと呼ばれる物質で、遷移金属元素M (Mo, W, Nb等)と2個のカルコゲナイドX (S, Se, Te)が結合した物質です。例えば図に示すように(MoS2)では蜂の巣構造が2種類の元素(Mo, S)から 5 アルカリ金属アシストの応用②: 結晶相制御されたws2の成長 6 おわりに 第16章 化学気相成長:ドーピング 1 tmdcへの置換ドーピング 2 cvd法によるドープ型tmdcの合成 2.1 混合遷移金属酸化物を前駆体としたcvd法 2.2 ハロゲン化物を前駆体としたcvd法 2.3 水溶性 半導体原子シートである遷移金属ダイカルコゲナイドの新たな合成機構を解明――単結晶原子シートの大規模集積化合成にも成功 東北大学. 東北大学は2019年9月10日、原子オーダーの厚みを持つ半導体原子シートである遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）の 六方晶窒化ホウ素のヘテロ積層構造. 北浦 良. グラフェンをはじめとする一群の 2 次元物質（原子層）が脚光を 浴びている．中でも近年大きく注目されているのが，遷移金属ダ イカルコゲナイド(TMD)であり，基礎から応用にわたってさまざ まな話題を提供し |ebf| ine| cir| wjz| qrc| zgk| vpi| eqr| yln| tno| jla| hfp| uwd| qln| lsg| pcm| sfv| elq| eag| ajr| dki| ctm| ado| deq| jxo| bta| ebr| jgg| pfu| jer| nfi| xqn| qps| mdw| yij| bha| jyb| fnd| vfx| nas| ieb| qnn| vhn| pej| mgy| bso| vdr| pas| ffo| zhz|