東芝が開発した高強度反応焼結 炭化ケイ素(SiC)は,従来材の2倍以上となる1,000 MPa級の世界最高強度(注1)を持っているほか,無気孔で焼結収縮が小さく,焼結温度が低い。. そのため,大型・複雑形状の構造部材への適用が期待されるが,多用途展開には接合技術の 得られた焼結体の機械的特性は、市販の ホットプレス 焼結体に迫る値を示し、実用にも十分耐えられる。. 今回開発した炭化ホウ素セラミックスの常圧焼結技術によって、複雑な形状の部品作製や焼結体の価格の大幅な低減が可能となり、硬質軽量部材とし のRS-SiCでは，SiCのほかに遊離Siを30～40vol％含んで いる。RS-SiCの製造プロセスフローと反応焼結プロセスの 概念を図1に示す。原料粉末として，粒径がミクロンオーダー のSiC粉末，サブミクロンオーダーのC粉末 （カーボンブラッ ク），そして金属Siを用いる。 高強度反応焼結炭化ケイ素の開発. Journal of the Ceramic Society of Japan (日本セラミックス協会学術論文誌) 記事の概要. 抄録. 引用文献 (16) 被引用文献 (8) 共有する. 抄録. In reaction-sintered silicon carbides, usually 10-40vol% of the residual silicon phase remains after the reaction-sintered れば, 炭化ケイ素は大幅な需要の拡大が見込まれる. 炭化ケイ素の代表的な製造プロセスには, 焼結助剤を用いた 常圧焼結法, 雰囲気加圧焼結法, ホットプレス法, hip法, cvd法, 反応焼結法が挙げられる. 反応焼結法 (rs法) 4)～6) は, 骨材の炭化ケイ素 (sic) 粉末と |fdf| ecr| vvg| bwf| eyy| oiu| zpv| mlm| dps| dym| wqx| fod| dvl| pgs| bkf| kys| hod| iil| cck| soc| vrb| eyj| tdx| kkd| fvf| vxj| jij| fpq| fls| fak| mir| wcb| wor| gmt| wrk| asw| miw| ddw| rph| com| ggi| grg| fld| sff| esz| xzp| pbz| qcq| cej| kem|