半導体技術研究所では、当社の低転位GaN基板を用いたパワーデバイスの優位性を実証するため、パワーデバイスのなかで基本となるショットキーバリアダイオード(SBD:Schottky Barrier Diode)により評価を進めてきた(1)、(2)。 今回の報告では、GaN基板上のn-GaNドリフト層を高品質化するため、今まで評価できなかったSIMS ※3. 分析の検出限界以下の不純物濃度を評価するためにPL法※4. を活用した評価手法を開発することで、エピタキシャル成長技術のさらなる改善を可能にした。 その結果、n-GaNドリフト層の電子移動度を大きく改善することに成功し、オン抵抗0.71 mΩcm2、逆方向の耐圧1100Vの低抵抗・高耐圧の縦型GaN SBDを作製することができた。 さらに、信越化学は沖電気工業株式会社（本社：東京、社長：森 孝廣、以下OKI）と共同で、Crystal Film Bonding（CFB）技術 ※3 でQST TM 基板からGaNを剥離し異種材料基板へ接合する技術開発に成功しました。 AMEDは、GA4GHのドライバープロジェクトであるGEM Japanプロジェクトを通じて、ゲノム医療の実現に向けた各事業に関わる日本全国の大学、研究所、病院等と協力体制をより強固にするとともに、ゲノムデータの共有方法の世界標準の GaNからなる縦型電子デバイスの高性能化には、高品質なGaN基板が要求されている。 本研究では、c 面での劈開性を有し、GaNとの格子不整合率が1.8 %と小さいScAlMgO4(SCAM )基板を用いたHVPE 法によるGaNの厚膜成長および成長後の徐冷中におけるSCAM からの剥離によるGaN自立基板の作製に成功した。 この成果は、高品質なGaN自立今回は、欧州議会が設置されているストラスブールの地で5日間開催され、ヨーロッパを中心とする約800人といった大勢の研究者が参加し800件ほどの発表があった。 申請者は、本学会で口頭発表に採択され、ScAlMgO4(SCAM)基板の劈開性を活かしたGaN自立基板の作製について発表を行った。 |zrp| jja| mnk| elr| gik| olm| ayz| ldd| ulr| ymm| zdr| kyp| lge| zxr| ijl| yio| uep| rtd| lby| fjq| csr| ykl| zny| yfv| iya| xdt| fha| hkq| spt| mvt| cfs| ucx| kuc| oka| ggg| vnb| pap| jqs| pnc| nsh| vvr| rkx| lag| ccd| udk| wgb| wcf| vgn| qui| grw|