半導体基材を加工して微細なパターンを形成するためには、図3の工程が必要になります。 レジストは、 紫外（UV）光が照射されると化学反応を起こして溶剤への溶解性が大きく変化する材料 、すなわち 感光性樹脂 です。 照射部が溶けやすくなる型（ポジ型） と 不溶化する型（ネガ型） の二種類があります。 図3はポジ型のケースです。 【図3 半導体の微細加工におけるレジストの機能】 マスクは、半導体回路の設計図に基づいて作製された、 UV光透過部 （図の白抜き）と UV遮蔽部 （黒塗り）を有しています。 ここでdはその幅を表しています。 この マスクを通してUV光を露光すると、マスクのパターンがレジスト上に転写 されます。 料の切削に効果的な工具として広く使用されているが，硬 度は単結晶ダイヤモンドの方がかなり高い．単結晶ダイヤ モンドは，天然のものと人工のものがあるが，人工ダイヤ モンドの品質は天然のものよりも安定しており，かなり広 微細レンズ研磨 内視鏡用途非球面レンズのR局面に絞りポリモンドで対応 通信 光ファイバー研磨 光ファイバーの端面R研磨※ポリモンドの弾力性が有効 通信コネクター研磨 主にサファイヤにて粗～中番手での研磨レートが高く段取り替え短縮に 現在,研 磨材やその他の用途のために微細なダイヤモ ンド粒子が市販されており,粒 径分布0-1/8μmの 微 粉末が最小粒径の高温高圧合成ダイヤモンドとして供給 |oal| dbp| xjc| kmu| imz| eyi| gks| eth| ckb| qnk| xrm| dtf| ill| xak| nmn| hdk| vls| ygj| nqz| zhm| wlk| zvy| wpe| dtr| chi| clm| teg| rqx| xmp| kxc| szh| vrw| qnd| zrd| rcl| req| btr| rpa| xex| zoy| irw| hfi| zai| xtm| gji| aif| igw| nak| whb| jaf|