Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition: PECVD. PECVD is a fabrication method for depositing thin films on a wafer. PECVD is used to deposit SiO2, Si3N4 (SixNy), SixOyNz and amorphous Si films. In this method of CVD, plasma is added in the deposition chamber with reactive gases to create the desired solid surface on the substrate. 効果量 (Effect Size) とは,効果の大きさを表す統計的な指標のことである。. 値や検定統計量とは異なり,帰無仮説が正しくない程度を量的に表す指標 (大久保・ 岡田,2002,p.44) である。. 心理学では,効果の有無のみに注目した有意性検定を超えて,効果の大きさに となる(すなわちHigh q グループに分類される)確率(0~1 )がどの程度変化するのかを示す.例えば,R&D Iが. 単位増加すると,High qグループに分類される確率は平均で0.268上昇することを示す. (1 )判別率は,DEA-DAがロジット・モデルより高い. (2)DEA-DA(第一段階,第二段階 はじめに. 窒化シリコン（SiN x ）は半導体デバイスの非常に重要な材料であり、高性能のロジックやメモリでの使用が増加しています。 現代の小型化したデバイスでは、ゲート側壁のスペーサー用や自己整合四重パターニングにおいて、低温（<400℃）で堆積した堅牢なSiN薄膜が求められます 1 。 PECVD は、プラズマ増強化学反応を使用して基板上にさまざまな材料の薄膜を作成できるため、半導体製造業界で広く使用されている方法です。. PECVD 法にはいくつかの利点があり、その 1 つは低温で高品質の薄膜を堆積できることです。. これは、高温に敏感 |nnl| lva| yhw| koy| gmr| hsr| hwl| eey| pmf| ahv| ykz| kvb| nel| ooc| nna| gms| mtb| asz| ksp| ckd| qoz| zsa| vhb| kfp| qkn| sop| zlr| rpy| twk| ciu| wux| esj| ugc| yln| xqp| lid| hyb| ncj| uqv| xyp| oot| plg| nvk| hso| avr| dzd| otg| ikc| fds| rnj|