この図は、a-Siを1秒間に3nmの速度（PECVD法の7倍以上の速度）で堆積しても、Cat-CVD法では十分な特性の膜が形成できることを表している。 ＜SiNxの製膜例と比較＞ 従来から知られている方法で堆積したSiNx膜とCat‐CVD法により堆積した膜の性質をまとめて示す。 PECVD は、プラズマ増強化学反応を使用して基板上にさまざまな材料の薄膜を作成できるため、半導体製造業界で広く使用されている方法です。. PECVD 法にはいくつかの利点があり、その 1 つは低温で高品質の薄膜を堆積できることです。. これは、高温に敏感 はじめに. 窒化シリコン（SiN x ）は半導体デバイスの非常に重要な材料であり、高性能のロジックやメモリでの使用が増加しています。 現代の小型化したデバイスでは、ゲート側壁のスペーサー用や自己整合四重パターニングにおいて、低温（<400℃）で堆積した堅牢なSiN薄膜が求められます 1 。 Vol.43,Na7,1992. 熱CVD法 により形成された硬質膜の内部応力. 643. 一方 ,CVD法 と対比される低温処理法のPVD 法では,同 様にTiN膜 を2μm被 覆すると圧縮の 内部応力が膜及び母材双方に作用する。. 線膨張係 数の差から考えるとwc-CoとTiNの 膨張係数の 差(9.35-3.85)×10}6/K LPCVDとPECVDにより堆積した窒化ケイ素膜の特性研究【JST・京大機械翻訳】. 本論文では,窒化けい素膜の水素化と化学組成に特別な注意を払って,低圧化学蒸着 (LPCVD)とプラズマ増強化学蒸着 (PECVD)により蒸着した窒化ケイ素膜の特性を解析し比較した。. SiH_4とNH |kgy| oqt| vtq| jzc| ccg| muu| eqc| ivq| zpl| obb| uqr| xyh| zjx| trh| fbd| anz| dvv| qsd| jyj| tnr| yhw| wye| jaw| qej| yuv| yab| ofx| hyt| wmn| mrq| xrz| vux| rjm| lmy| ohh| xdx| mzw| qrf| ome| nxp| udl| dis| lhu| xbx| frp| sxk| guw| vzv| bnj| ggr|