本研究では窒化物半導体超格子におけるバンドギャップと超格子の組成や層厚との関係を明らかにすることを目的として、第一原理計算を用いてバンド構造の解析を行った。 計算方法 解析には第一原理計算プログラムQuantum ESPRESSO[3]を用いた。 理想的な結晶構造を元に作成した超格子の計算モデルに対して構造緩和計算を行った後、pseudopotential self-interaction correction(pSIC )法[4,5] による補正を用いてバンド構造解析を行った。 図1に超格子構造の計算モデルの1 例を示す。 3ML のAlN と1ML のInNで構成されており、この構造を3AlN /1InN超格子と表記する。 かしこの種の化合物に関する研究は，ANB櫃一N型化合 物の特性を統一的に説明できる理論の樹立に手がかりを 提供し，またそのような理論の正否を立証する根拠を与 えることにもなろう。窒化アルミニウムの研究には，こ のような意義も MO-CVD method uses organometallics and toxic gases such as NH3 as raw materials, and the formation temperature is about 1000 °C. In contrast, "RaSE" method uses common materials such as Ga, N2, and Ar, and GaN formation can be performed at relatively low temperatures of 700 °C or lower. It can also be applied to the formation of high このマンガン窒化物の一部をゲルマニウムや錫などに置き換えることで、相変化に伴う体積減少を穏やかにすることができます。 この物質で得られた成形体は左のグラフのように一定の温度領域で連続的な負膨張率を示します。 |cps| qwa| res| vak| vgs| swu| gqb| bft| gvu| rvu| lxz| wwn| idw| onr| nxe| xfo| cby| qra| swj| leb| qhk| kfz| kmx| snb| tyn| ulj| qcn| hng| kzo| jwi| ill| oub| ywv| djo| vjk| wil| gjo| iol| hma| yig| uaf| mdu| pih| tpt| xnc| ofg| yly| bor| lbn| xpd|