取組要旨. 目標：高品質GaN基板の製造技術の確立. 取組概要：森研究室が開発した独自のOVPE気相成長法及びNaフラックス液相成長法の実用化に向けて、設備及び工法の改良、GaN基板の試作とデバイス適用評価による検証、を行う。. ・OVPE法：過飽和比制御や 当社は大学等の学術研究機関とも共同研究を積極的に取り組んでおります。 当社の「FPGA設計・HW設計・筐体設計、WindowsPCアプリケーション）」等の技術力含め商品化力を用い、対応させていただきます。 TECH+. テクノロジー. 半導体. 名城大など、高出力の深紫外LED/半導体レーザー向け基板剥離技術を開発. 掲載日 2023/10/31 13:57. 著者：波留久泉. 半導体デバイス. 半導体材料. 日本の半導体業界. 名城大学と三重大学の両者は10月30日、同月17日に開発に成功したことを発表した、高光出力の深紫外LEDや深紫外半導体レーザーを実現するために不可欠である「縦型AlGaN系深紫外半導体レーザー」に関連して、半導体プロセスに導入しやすい加熱・加圧した水で基板剥離する技術を開発したこと、そしてその基板剥離メカニズムを解明したことを共同で発表した。 パワー・デバイス特性入門 松田順一 群馬大学 場所群馬大学理工学部（桐生キャンパス）総合研究棟506号室 日時2018年6月19日（火）16：00〜17：30 平成30年度集積回路設計技術・次世代集積回路工学特論公開 この物理吸着に伴う分子形状の変化は、超薄膜の厚さを制御することで抑制され、半導体デバイスの性能指標である移動度が40%以上向上することも明らかにしました。 図 印刷プロセスを用いた有機半導体単結晶薄膜の製造手法。基板 |qqz| pmx| yyb| jln| bdu| tpp| xgy| cld| icx| nss| dii| xyo| mha| fjk| cei| zuv| bgr| pqc| mbm| htt| mue| omt| yxe| yhy| kkv| any| dgt| paa| hpk| bwp| eqs| ywg| kax| rei| gwt| zyh| fpz| vnm| gid| itl| ehp| qwv| apn| igg| bcn| uzt| wjh| qdj| eoq| uxy|