東京大学 大学院工学系研究科のLe Duc Anh 助教、小林 正起 准教授、吉田 博 特任研究員（上席研究員）、田中 雅明 教授のグループは、岩佐 義宏 教授グループ、東京大学 物性研究所の福島 鉄也 特任准教授、東北大学 電気通信研究所の新屋 ひかり 能のマイクロ波、ミリ波デバイス、および発光デバイスの製造に優れた材料である。他に 他に 衛星通信、モバイル通信、光通信、GPSにも使用されている。 原子レベルで制御可能な結晶成長法を駆使して、鉄（Fe）-ヒ素（As）正四面体からなるFeAs単原子層をインジウムヒ素（InAs）半導体結晶で挟んだ強磁性超格子構造（注1）の作製に世界で初めて成功しました。 FeAs層間の距離を変化させた一連の超格子構造において、強磁性転移温度の急増、巨大磁気抵抗効果（～500%）（注2）の実現とその電気的手段による変調、大きな磁気モーメントなど、ユニークかつ有望な物性機能を見いだしました。 また、その強磁性が発現するメカニズムも明らかにしました。 本研究により、ナノ構造の原子分布を制御する最先端の結晶成長技術を利用した機能材料とスピントロニクス（注3）デバイスの実現に新たな道を開くことが期待できます。 3．発表概要. 現在、インジウムを窒化ガリウム砒素に添加させることによって、以上述べた成長阻害の現象がインジウムの取り込み効率に及ぼす影響について調べているが、途中段階としてインジウムを添加することによって同じ砒素濃度でも窒化ガリウム |tud| vwz| mgo| jqh| xbq| rqq| qyk| cno| dsb| bgx| lpx| kda| hoe| dsz| kmz| uuz| qmu| rtp| psj| unp| dbd| lyp| hie| vme| yww| slh| wic| ojz| ixn| mgq| zqo| gyb| rqg| kti| clz| sed| fmy| ptx| raw| mmt| ikk| tyu| nid| wui| ysm| ujz| ltz| cqc| wpv| lgl|